Prinsipyo ng Plasma Etcher

Ang Inductively Coupled Plasma Etch (ICPE) ay resulta ng kumbinasyon ng mga kemikal at pisikal na proseso. Ang pangunahing prinsipyo nito ay, sa ilalim ng vacuum at mababang presyon, ang dalas ng radyo na nabuo ng isang ICP RF power supply ay output sa isang toroidal coupling coil. Ang isang halo-halong etching gas sa isang tiyak na proporsyon ay isinasama sa isang glow discharge, na bumubuo ng mataas na-density na plasma. Sa ilalim ng impluwensya ng RF sa ilalim na elektrod, binomba ng plasma na ito ang ibabaw ng substrate, na sinisira ang mga bono ng kemikal ng materyal na semiconductor sa patterned na lugar ng substrate. Ang mga pabagu-bagong sangkap na ito ay tumutugon sa etching gas upang bumuo ng pabagu-bago ng isip na mga compound, na pagkatapos ay humiwalay mula sa substrate bilang mga gas at ibinubomba palabas ng vacuum line.